Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO263
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO263
EB Код: EB1212672286
Код товара производителя: IXBA16N170AHV
Код товара производителя:
IXBA16N170AHV
Производитель, бренд: IXYS
Производитель, бренд:
IXYS
33,28 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика 8 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Collector current | 10A |
| Power dissipation | 150W |
| Case | TO263 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 40A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 65nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 43ns |
| Turn-off time | 370ns |
| Features of semiconductor devices | high voltage |