Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO263
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO263
EB Kood: EB1212672286
Tootja kauba kood: IXBA16N170AHV
Tootja kauba kood:
IXBA16N170AHV
Tootja, kaubamärk: IXYS
Tootja, kaubamärk:
IXYS
33,20 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos 8 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Collector current | 10A |
| Power dissipation | 150W |
| Case | TO263 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 40A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 65nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 43ns |
| Turn-off time | 370ns |
| Features of semiconductor devices | high voltage |