Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.2kV | 50A | 535W | MAX247
Transistor: IGBT | 1.2kV | 50A | 535W | MAX247
EB Kods: EB1532374641
Ražotāja preces kods: STGYA50H120DF2
Ražotāja preces kods:
STGYA50H120DF2
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
15,75 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 8 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 50A |
Power dissipation | 535W |
Case | MAX247 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 200A |
Mounting | THT |
Gate charge | 0.21µC |
Kind of package | tube |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |