Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.2kV | 25A | 200W | TO3P
Transistor: IGBT | 1.2kV | 25A | 200W | TO3P
EB Kods: EB1695276279
Ražotāja preces kods: NTE3323
Ražotāja preces kods:
NTE3323
Ražotājs, zīmols: NTE Electronics
Ražotājs, zīmols:
NTE Electronics
38,37 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 9 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 25A |
Power dissipation | 200W |
Case | TO3P |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 50A |
Mounting | THT |
Turn-on time | 0.4µs |
Turn-off time | 0.8µs |