Tulkot latviski

Transistor: IGBT | 1.2kV | 25A | 200W | TO3P

EB Kods: EB1695276279

Ražotāja preces kods: 
NTE3323

Ražotājs, zīmols: 
NTE Electronics

38,56 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 9 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
-+

Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2kV
Collector current25A
Power dissipation200W
CaseTO3P
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current50A
MountingTHT
Turn-on time0.4µs
Turn-off time0.8µs