Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 47A | Idm: 150A | 357W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 47A | Idm: 150A | 357W
EB Kods: EB1597209331
Ražotāja preces kods: DIW170SIC049
Ražotāja preces kods:
DIW170SIC049
Ražotājs, zīmols: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
22,20 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Drain current | 47A |
| Pulsed drain current | 150A |
| Power dissipation | 357W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -4...18V |
| On-state resistance | 81mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 179nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |