Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 47A | Idm: 150A | 357W

EB Koodi: EB1597209331

Valmistajan tuotekoodi: 
DIW170SIC049

Valmistaja, merkki: 
DIOTEC SEMICONDUCTOR

 22,20 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7kV
Drain current47A
Pulsed drain current150A
Power dissipation357W
CaseTO247-3
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance81mΩ
MountingTHT
Gate charge179nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement