Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 650V | 30A | 258W | TO220AB
Transistor: IGBT | 650V | 30A | 258W | TO220AB
EB Kods: EB1436887140
Ražotāja preces kods: STGP30M65DF2
Ražotāja preces kods:
STGP30M65DF2
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
3,92 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Collector current | 30A |
| Power dissipation | 258W |
| Case | TO220AB |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 120A |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 80nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |