Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 650V | 30A | 258W | TO220AB
Transistor: IGBT | 650V | 30A | 258W | TO220AB
EB Kods: EB1436887140
Ražotāja preces kods: STGP30M65DF2
Ražotāja preces kods:
STGP30M65DF2
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
3,92 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 650V |
Collector current | 30A |
Power dissipation | 258W |
Case | TO220AB |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 120A |
Mounting | THT |
Gate charge | 80nC |
Kind of package | tube |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |