Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 6A | Idm: 25A | 1.6W | SOT23

EB Kods: EB1306759651

Ražotāja preces kods: 
SI2338DS-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

 0,72 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current6A
Pulsed drain current25A
Power dissipation1.6W
CaseSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance28mΩ
MountingSMD
Gate charge13nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced