Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 6A | Idm: 25A | 1.6W | SOT23

EB Koodi: EB1306759651

Valmistajan tuotekoodi: 
SI2338DS-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 1,08 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current6A
Pulsed drain current25A
Power dissipation1.6W
CaseSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance28mΩ
MountingSMD
Gate charge13nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced