Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 6A | Idm: 25A | 1.6W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 6A | Idm: 25A | 1.6W | SOT23
EB Koodi: EB1306759651
Valmistajan tuotekoodi: SI2338DS-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SI2338DS-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,14 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 2-4 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 2-4 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 6A |
Pulsed drain current | 25A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 28mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 13nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |