Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.2kV | 17A | 298W | D2PAK
Transistor: IGBT | 1.2kV | 17A | 298W | D2PAK
EB Kods: EB2014120288
Ražotāja preces kods: HGT1S10N120BNST
Ražotāja preces kods:
HGT1S10N120BNST
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
3,44 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 2-4 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 2-4 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 17A |
Power dissipation | 298W |
Case | D2PAK |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 80A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 150nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |