Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.2kV | 17A | 298W | D2PAK
Transistor: IGBT | 1.2kV | 17A | 298W | D2PAK
EB Kods: EB2014120288
Ražotāja preces kods: HGT1S10N120BNST
Ražotāja preces kods:
HGT1S10N120BNST
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
3,44 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Collector current | 17A |
| Power dissipation | 298W |
| Case | D2PAK |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 80A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 150nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |