Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -60V | -5.3A | Idm: -21A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -60V | -5.3A | Idm: -21A
EB Kods: EB1194411526
Ražotāja preces kods: SQ3427EV-T1_GE3
Ražotāja preces kods:
SQ3427EV-T1_GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,20 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -5.3A |
Pulsed drain current | -21A |
Power dissipation | 5W |
Case | TSOP6 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 178mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 22nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |