Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -60V | -5.3A | Idm: -21A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -60V | -5.3A | Idm: -21A
EB Koodi: EB1194411526
Valmistajan tuotekoodi: SQ3427EV-T1_GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SQ3427EV-T1_GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,20 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -5.3A |
Pulsed drain current | -21A |
Power dissipation | 5W |
Case | TSOP6 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 178mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 22nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |