Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -12A | Idm: -40A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -12A | Idm: -40A
EB Kodas: EB232917812
Gamintojo prekės kodas: SIA469DJ-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SIA469DJ-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,41 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -12A |
Pulsed drain current | -40A |
Power dissipation | 15.6W |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 40mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 32nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |