Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -12A | Idm: -40A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -12A | Idm: -40A
EB Код: EB232917812
Код товара производителя: SIA469DJ-T1-GE3
Код товара производителя:
SIA469DJ-T1-GE3
Производитель, бренд: VISHAY
Производитель, бренд:
VISHAY
0,41 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -12A |
Pulsed drain current | -40A |
Power dissipation | 15.6W |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 40mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 32nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |