Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -2.4A | Idm: -12A

EB Kodas: EB368621097

Gamintojo prekės kodas: 
SI2319DS-T1-E3

Gamintojas, prekės ženklas: 
VISHAY

 1,47 € 
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo. 
Užduoti klausimą
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-2.4A
Pulsed drain current-12A
Power dissipation0.8W
CaseSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.13Ω
MountingSMD
Gate charge17nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced