Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 100V | 420A | 1670W | TO264
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 100V | 420A | 1670W | TO264
EB Kodas: EB978806560
Gamintojo prekės kodas: IXFK420N10T
Gamintojo prekės kodas:
IXFK420N10T
Gamintojas, prekės ženklas: IXYS
Gamintojas, prekės ženklas:
IXYS
21,96 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | GigaMOS™ |
Technology | HiPerFET™ |
Technology | Trench™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 420A |
Power dissipation | 1670W |
Case | TO264 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.6mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 670nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 140ns |