Tulkot latviski
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.7kV | Ic: 75A | SOT227B
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.7kV | Ic: 75A | SOT227B
EB Kodas: EB865993122
Gamintojo prekės kodas: IXBN75N170
Gamintojo prekės kodas:
IXBN75N170
Gamintojas, prekės ženklas: IXYS
Gamintojas, prekės ženklas:
IXYS
134,17 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | single transistor |
Max. off-state voltage | 1.7kV |
Collector current | 75A |
Case | SOT227B |
Electrical mounting | screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 680A |
Power dissipation | 625W |
Technology | BiMOSFET™ |
Features of semiconductor devices | high voltage |
Mechanical mounting | screw |