Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 24A | 250W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 24A | 250W | TO268
EB Kodas: EB1750621218
Gamintojo prekės kodas: IXBT24N170
Gamintojo prekės kodas:
IXBT24N170
Gamintojas, prekės ženklas: IXYS
Gamintojas, prekės ženklas:
IXYS
36,52 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Collector current | 24A |
| Power dissipation | 250W |
| Case | TO268 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 230A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 0.14µC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 190ns |
| Turn-off time | 1285ns |
| Features of semiconductor devices | high voltage |