Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 50A | 318W | HIP247™
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 50A | 318W | HIP247™
EB Kodas: EB1962613963
Gamintojo prekės kodas: SCT50N120
Gamintojo prekės kodas:
SCT50N120
Gamintojas, prekės ženklas: STMicroelectronics
Gamintojas, prekės ženklas:
STMicroelectronics
57,74 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Technology | SiCFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 50A |
| Pulsed drain current | 130A |
| Power dissipation | 318W |
| Case | HIP247™ |
| Gate-source voltage | -10...25V |
| On-state resistance | 70mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 122nC |
| Kind of package | tube |