Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 50A | 318W | HIP247™
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 50A | 318W | HIP247™
EB Kods: EB1962613963
Ražotāja preces kods: SCT50N120
Ražotāja preces kods:
SCT50N120
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
58,06 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Technology | SiCFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 50A |
| Pulsed drain current | 130A |
| Power dissipation | 318W |
| Case | HIP247™ |
| Gate-source voltage | -10...25V |
| On-state resistance | 70mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 122nC |
| Kind of package | tube |