Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -7.2A | Idm: -20A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -7.2A | Idm: -20A
EB Kodas: EB65238442
Gamintojo prekės kodas: SI4447ADY-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI4447ADY-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,79 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -40V |
Drain current | -7.2A |
Pulsed drain current | -20A |
Power dissipation | 4.2W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 62mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 38nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |