Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -7.2A | Idm: -20A

EB Kods: EB65238442

Ražotāja preces kods: 
SI4447ADY-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

 0,79 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-7.2A
Pulsed drain current-20A
Power dissipation4.2W
CaseSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance62mΩ
MountingSMD
Gate charge38nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced