Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -100V | -900mA | Idm: -3.6A | 1.25W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -100V | -900mA | Idm: -3.6A | 1.25W
EB Kodas: EB522465262
Gamintojo prekės kodas: PJA3471_R1_00501
Gamintojo prekės kodas:
PJA3471_R1_00501
Gamintojas, prekės ženklas: PanJit Semiconductor
Gamintojas, prekės ženklas:
PanJit Semiconductor
0,50 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -100V |
Drain current | -900mA |
Pulsed drain current | -3.6A |
Power dissipation | 1.25W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.7Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |