Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 4.9A | Idm: 19.6A | 1.25W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 4.9A | Idm: 19.6A | 1.25W | SOT23
EB Kodas: EB180888113
Gamintojo prekės kodas: PJA3400_R1_00001
Gamintojo prekės kodas:
PJA3400_R1_00001
Gamintojas, prekės ženklas: PanJit Semiconductor
Gamintojas, prekės ženklas:
PanJit Semiconductor
0,49 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 4.9A |
Pulsed drain current | 19.6A |
Power dissipation | 1.25W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 60mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 5.7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |