Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -4A | Idm: -16A | 3.1W | SOT223
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -4A | Idm: -16A | 3.1W | SOT223
EB Kodas: EB1107996719
Gamintojo prekės kodas: PJW4P06A_R2_00001
Gamintojo prekės kodas:
PJW4P06A_R2_00001
Gamintojas, prekės ženklas: PanJit Semiconductor
Gamintojas, prekės ženklas:
PanJit Semiconductor
0,61 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 2-4 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 2-4 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -4A |
Pulsed drain current | -16A |
Power dissipation | 3.1W |
Case | SOT223 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.13Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 10nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |