Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -1.2A | Idm: -7.6A | 830mW
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -1.2A | Idm: -7.6A | 830mW
EB Kodas: EB877555127
Gamintojo prekės kodas: SI5618-TP
Gamintojo prekės kodas:
SI5618-TP
Gamintojas, prekės ženklas: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Gamintojas, prekės ženklas:
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
0,51 €
excl. VAT / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -1.2A |
Pulsed drain current | -7.6A |
Power dissipation | 0.83W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.2Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 9.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |