Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -600mA | Idm: -2.4A | 300mW
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -600mA | Idm: -2.4A | 300mW
EB Kodas: EB1800766909
Gamintojo prekės kodas: PJE8403_R1_00001
Gamintojo prekės kodas:
PJE8403_R1_00001
Gamintojas, prekės ženklas: PanJit Semiconductor
Gamintojas, prekės ženklas:
PanJit Semiconductor
0,45 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -0.6A |
Pulsed drain current | -2.4A |
Power dissipation | 0.3W |
Case | SOT523 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 0.6Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |