Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -8V | -3.5A | Idm: -20A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -8V | -3.5A | Idm: -20A
EB Kodas: EB1394433454
Gamintojo prekės kodas: SI2305CDS-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI2305CDS-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,57 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -8V |
Drain current | -3.5A |
Pulsed drain current | -20A |
Power dissipation | 1.1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 65mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 30nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |