Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -60V | -8.2A | Idm: -18A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -60V | -8.2A | Idm: -18A
EB Kodas: EB1251017609
Gamintojo prekės kodas: SUD08P06-155L-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SUD08P06-155L-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
1,36 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -8.2A |
Pulsed drain current | -18A |
Power dissipation | 20.8W |
Case | DPAK |
Case | TO252 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.35Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 19nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |