Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 85A | Idm: 250A | 340W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 85A | Idm: 250A | 340W
EB Kodas: EB1392127807
Gamintojo prekės kodas: DIF120SIC022-AQ
Gamintojo prekės kodas:
DIF120SIC022-AQ
Gamintojas, prekės ženklas: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
73,71 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 85A |
Pulsed drain current | 250A |
Power dissipation | 340W |
Case | TO247-4 |
Gate-source voltage | -4...18V |
On-state resistance | 28mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 269nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
Application | automotive industry |