Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.215A | Idm: 1.2A | ESD
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.215A | Idm: 1.2A | ESD
EB Kodas: EB1809815093
Gamintojo prekės kodas: 2N7002BKW,115
Gamintojo prekės kodas:
2N7002BKW,115
Gamintojas, prekės ženklas: NEXPERIA
Gamintojas, prekės ženklas:
NEXPERIA
0,42 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.215A |
Pulsed drain current | 1.2A |
Power dissipation | 0.33W |
Case | SC70 |
Case | SOT323 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 0.6nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |