Tulkot latviski
Samsung MZ-V9P2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
Samsung MZ-V9P2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
EB Kodas: EB1271966164
Gamintojo prekės kodas: MZ-V9P2T0GW
Gamintojo prekės kodas:
MZ-V9P2T0GW
Gamintojas, prekės ženklas: SAMSUNG
Gamintojas, prekės ženklas:
SAMSUNG
275,30 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 3-5 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 3-5 darbo dienos po apmokėjimo.
S.M.A.R.T. support | Yes |
Write speed | 6900 MB/s |
Component for | PC |
Security algorithms | 256-bit AES |
Read speed | 7450 MB/s |
M.2 SSD size | 2280 (22 x 80 mm) |
Random write (4KB) | 1550000 IOPS |
Mean time between failures (MTBF) | 1500000 h |
SSD capacity | 2 TB |
SSD form factor | M.2 |
Hardware encryption | Yes |
DevSlp (device sleep) support | Yes |
NVMe | Yes |
Random read (4KB) | 1400000 IOPS |
NVMe version | 2.0 |
TRIM support | Yes |
Memory type | V-NAND MLC |
Interface | PCI Express 4.0 |
Operating voltage | 3.3 V |
Power consumption (max) | 7.8 W |
Power consumption (average) | 5.4 W |
Operating temperature (T-T) | 0 - 70 °C |
Operating shock | 1500 G |
Width | 80 mm |
Weight | 28 g |
Depth | 8.2 mm |
Height | 24.3 mm |