Tulkot latviski
Module: IGBT | diode/transistor | boost chopper | Urmax: 1200V | L2.2
Module: IGBT | diode/transistor | boost chopper | Urmax: 1200V | L2.2
EB Kodas: EB388243897
Gamintojo prekės kodas: GD15PJY120L2S
Gamintojo prekės kodas:
GD15PJY120L2S
Gamintojas, prekės ženklas: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
STARPOWER SEMICONDUCTOR
38,72 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper |
| Topology | IGBT three-phase bridge OE output |
| Topology | NTC thermistor |
| Topology | three-phase diode bridge |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Collector current | 15A |
| Case | L2.2 |
| Electrical mounting | Press-in PCB |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 30A |
| Technology | Advanced Trench FS IGBT |
| Mechanical mounting | screw |