Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -25V | -0.41A | 0.3W
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -25V | -0.41A | 0.3W
EB Kodas: EB613327361
Gamintojo prekės kodas: FDG6304P
Gamintojo prekės kodas:
FDG6304P
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
0,77 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -25V |
Drain current | -0.41A |
Power dissipation | 0.3W |
Case | SC70-6 |
Case | SC88 |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 1.9Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |