Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -12V | -2.5A | 0.96W | SuperSOT-6
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -12V | -2.5A | 0.96W | SuperSOT-6
EB Kodas: EB523936558
Gamintojo prekės kodas: FDC6318P
Gamintojo prekės kodas:
FDC6318P
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
0,89 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -12V |
Drain current | -2.5A |
Power dissipation | 0.96W |
Case | SuperSOT-6 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 0.2Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |