Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 50V | 350mA | Idm: 1.2A | 223mW
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 50V | 350mA | Idm: 1.2A | 223mW
EB Kodas: EB832837710
Gamintojo prekės kodas: PJX138K_R1_00001
Gamintojo prekės kodas:
PJX138K_R1_00001
Gamintojas, prekės ženklas: PanJit Semiconductor
Gamintojas, prekės ženklas:
PanJit Semiconductor
0,23 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 50V |
Drain current | 0.35A |
Pulsed drain current | 1.2A |
Power dissipation | 223mW |
Case | SOT563 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4.5Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |