Tulkot latviski
Transistor: IGBT | PT | 1.2kV | 33A | 417W | TO247-3
Transistor: IGBT | PT | 1.2kV | 33A | 417W | TO247-3
EB Kods: EB1898765495
Ražotāja preces kods: APT25GP120BG
Ražotāja preces kods:
APT25GP120BG
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
21,14 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Technology | POWER MOS 7® |
Technology | PT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 33A |
Power dissipation | 417W |
Case | TO247-3 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 90A |
Mounting | THT |
Gate charge | 110nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 26ns |
Turn-off time | 197ns |