Tulkot latviski
Transistor: IGBT | PT | 1.2kV | 20A | 250W | TO247-3
Transistor: IGBT | PT | 1.2kV | 20A | 250W | TO247-3
EB Kods: EB2141065131
Ražotāja preces kods: APT13GP120BDQ1G
Ražotāja preces kods:
APT13GP120BDQ1G
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
17,93 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Technology | POWER MOS 7® |
Technology | PT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 20A |
Power dissipation | 250W |
Case | TO247-3 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 50A |
Mounting | THT |
Gate charge | 55nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 21ns |
Turn-off time | 270ns |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |