Tulkot latviski

Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 21A | 357W | TO247-3

EB Kods: EB1155176664

Ražotāja preces kods: 
IXBH42N170A

Ražotājs, zīmols: 
IXYS

 34,73 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current21A
Power dissipation357W
CaseTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current265A
MountingTHT
Gate charge188nC
Kind of packagetube
Turn-on time33ns
Turn-off time308ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage