Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 650V | 10A | 115W | TO220AB
Transistor: IGBT | 650V | 10A | 115W | TO220AB
EB Kods: EB1282121608
Ražotāja preces kods: STGP10M65DF2
Ražotāja preces kods:
STGP10M65DF2
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
1,70 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 650V |
Collector current | 10A |
Power dissipation | 115W |
Case | TO220AB |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 40A |
Mounting | THT |
Gate charge | 28nC |
Kind of package | tube |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |