Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 600V | 30A | 170W | TO3PN
Transistor: IGBT | 600V | 30A | 170W | TO3PN
EB Kods: EB1897851919
Ražotāja preces kods: GT30J121(Q)
Ražotāja preces kods:
GT30J121(Q)
Ražotājs, zīmols: TOSHIBA
Ražotājs, zīmols:
TOSHIBA
4,99 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Collector current | 30A |
| Power dissipation | 170W |
| Case | TO3PN |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 60A |
| Mounting | THT |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 240ns |
| Turn-off time | 430ns |