Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 600V | 10A | 12W | TO220F | Eoff: 0.04mJ | Eon: 0.14mJ
Transistor: IGBT | 600V | 10A | 12W | TO220F | Eoff: 0.04mJ | Eon: 0.14mJ
EB Kods: EB692464812
Ražotāja preces kods: AOTF10B60D2
Ražotāja preces kods:
AOTF10B60D2
Ražotājs, zīmols: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
1,75 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 600V |
Collector current | 10A |
Power dissipation | 12W |
Case | TO220F |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 20A |
Mounting | THT |
Gate charge | 9.4nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 26ns |
Turn-off time | 124ns |
Collector-emitter saturation voltage | 1.55V |
Turn-off switching energy | 0.04mJ |
Turn-on switching energy | 0.14mJ |