Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.8kV | 40A | 375W | TO3PN
Transistor: IGBT | 1.8kV | 40A | 375W | TO3PN
EB Kods: EB84094624
Ražotāja preces kods: GT40WR21,Q(O
Ražotāja preces kods:
GT40WR21,Q(O
Ražotājs, zīmols: TOSHIBA
Ražotājs, zīmols:
TOSHIBA
18,23 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 1.8kV |
Collector current | 40A |
Power dissipation | 375W |
Case | TO3PN |
Gate-emitter voltage | ±25V |
Pulsed collector current | 80A |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 950ns |
Turn-off time | 570ns |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |