Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.2kV | 40A | 277W | TO247-3
Transistor: IGBT | 1.2kV | 40A | 277W | TO247-3
EB Kods: EB330778063
Ražotāja preces kods: FGH40T120SMD-F155
Ražotāja preces kods:
FGH40T120SMD-F155
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
25,53 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 40A |
Power dissipation | 277W |
Case | TO247-3 |
Gate-emitter voltage | ±25V |
Pulsed collector current | 160A |
Mounting | THT |
Gate charge | 0.37µC |
Kind of package | tube |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |