Tulkot latviski
Transistor: IGBT | GenX3™ | 900V | 8A | 125W | TO252
Transistor: IGBT | GenX3™ | 900V | 8A | 125W | TO252
EB Kods: EB280038019
Ražotāja preces kods: IXYY8N90C3
Ražotāja preces kods:
IXYY8N90C3
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
3,97 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | GenX3™ |
| Technology | Planar |
| Technology | XPT™ |
| Collector-emitter voltage | 900V |
| Collector current | 8A |
| Power dissipation | 125W |
| Case | TO252 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 48A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 13.3nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 39ns |
| Turn-off time | 238ns |