Tulkot latviski
Transistor: IGBT | GenX3™ | 1.2kV | 30A | 300W | TO263
Transistor: IGBT | GenX3™ | 1.2kV | 30A | 300W | TO263
EB Kods: EB885591025
Ražotāja preces kods: IXGA30N120B3
Ražotāja preces kods:
IXGA30N120B3
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
15,50 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Technology | GenX3™ |
Technology | PT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 30A |
Power dissipation | 300W |
Case | TO263 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 150A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 87nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 56ns |
Turn-off time | 471ns |