Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -85V | -96A | 298W | TO247-3
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -85V | -96A | 298W | TO247-3
EB Kods: EB318809575
Ražotāja preces kods: IXTH96P085T
Ražotāja preces kods:
IXTH96P085T
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
10,78 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchP™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -85V |
Drain current | -96A |
Power dissipation | 298W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±15V |
On-state resistance | 13mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 180nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 55ns |